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脉冲激光沉积系统配置介绍

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脉冲激光沉积系统配置：

生长室，脉冲激光沉积装置公司，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压rheed，工作气压可达100pa可预留法兰，脉冲激光沉积装置价格，用于leed，k-cell， e-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。

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沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售脉冲激光沉积，我们为您分析该产品的以下信息。

1.靶: 数量6个，大小1-2英寸，被激光照射时可自动旋转，靶的选择可通过步进电机控制;

2.基板:采用适合于氧气环境铂金加热片，大小2英寸，加热温度可达1200摄氏度，温度差<3%，加热时基板可旋转，脉冲激光沉积装置，工作环境的压力可达300mtorr;

3.基板加热电源，高到1200度;

4.真空成膜室腔体:不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度<5e-8 pa;

5.样品搬运室:不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度<5e-5 pa;

6.排气系统:分子泵和干式机械泵;

7.阀门: 采用真空挡板阀;

8.真空检测:真空计;

9.气路两套: 采用气体流量计控制;

10.薄膜生长监控系统: 采用扫描型差分rheed;

11.监控系统:基板温度的监控和设定，基板和靶的旋转，靶的更换等;

12.各种电流导入及测温端子;

13.其它各种构造:各种真空位移台，磁力传输杆，脉冲激光沉积装置，真空法兰，真空密封垫圈，真空用波纹管等;