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等离子体化学气相沉积简称pcvd,是一种用等离子体激发反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下,源气体电离形成等离子体,利用低温等离子体作为能量源,通入适量的反应气体,利用等离子体放电,使反应气体激发并实现化学气相沉积的技术。
化学气相沉积的方法很多,如常压化学气相沉积(atmospheric pressure cvd,apcvd)、低压化学气相沉积(low pressure cvd,气相化学沉积设备,lpcvd)、真空化学气相沉积(ultrahigh vacuum cvd,气相化学沉积设备,uhvcvd)、激光化学气相沉积(laser cvd,lcvd)、金属有机物化学气相沉积(metal-organic cvd,mocvd),等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced cvd,pecvd)等。
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化学气相沉积法生产金属铱高温涂层从20世纪80年代起,nasa 开始尝试使用金属有机化合物化学气相沉积法制取出使用铼基铱作为涂层的复合喷管,并获得了成功,这时化学气相沉积法在生产金属涂层领域才有了一定程度上的突破。
nasa 使用了c15h21iro6作为制取铱涂层的材料,气相化学沉积设备多少钱,并利用 c15h21iro6的热分解反应进行沉积。铱的沉积速度很快,可以达到3~20μm/h。 沉积厚度也达到了50μm,c15h21iro6的制取效率达 70%以上。
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