以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产化学气相沉积，气相化学沉积设备报价，欢迎新老客户莅临。
一．系统概况
该系统主要用于常规尺寸样片（不超过φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、
硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻
蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：
1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；
2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，
内腔尺寸ф340mm×160mm；
3.---真空度：≤6.6x10-4 pa (经烘烤除气后，采用ff160/600分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 pa.l/s；
系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；
停泵关机12小时后真空度：≤5 pa；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；
7.icp头尺寸：340mm mm，气相化学沉积设备，喷淋头与样品之间电极间距50mm；
8. 沉积工作真空：1-20pa；
9. 气路设有匀气系统，真空室内设有---抽气均匀性抽气装置；
10. 射频电源：2台频率 13.56mhz，功率600w，全自动匹配；
11. 6路气体，共计使用6个流量控制器控制进气。
气体：---气/氧气/四---碳/六---硫
12. 刻蚀速率
sio2：***0.5μm/min
si：***1μm/min
光刻胶：***1μm/min
13. 刻蚀不均匀性：
优于±5%（φ4英寸范围内）
优于±6%（φ6英寸范围内）
14. 选择比
cf4的选择比为50，
该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（pecvd）工艺研发设备，用来在硅片上沉积siox、sinx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。
设备概述：
1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；
3.---真空度：≤6.67x10-4 pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7pa.l/s； 系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa，35分钟可达到
（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 pa（采用分子
泵抽气，气相化学沉积设备公司，分子泵不配，预留分子泵接口)；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°c，采用日本进口控温表进行控温；
6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；
7. 沉积工作真空：13-1300pa；
8.气路设有匀气系统，真空室内设有---抽气均匀性抽气装置；
9.射频电源：频率 13.56mhz，功率500w，全自动匹配；
10.sih4、nh3、co2、n2、h2、ph3、b2h6、七路气体，共计使用7个流量控制器控制进气。
11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。
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pcvd工艺的具体流程如下：
(1)沉积。沉积过程借助低压等离子体使流进高纯度石英玻璃沉积管内的气态卤化物和氧气在1000℃以上的高温条件下直接沉积成设计要求的光纤芯中玻璃的组成成分。
(2)熔缩。沿管子方向往返移动的石墨电阻炉对小断旋转的管子加热到大约2200℃，在表面张力的作用下，分阶段将沉积好的石英管熔缩成一根实心棒(预制棒)。
(3)套棒。为获得光纤芯层与包层材料的适当比例，将熔缩后的石英棒套入一根截面积经过---挑选的管子中，这样装配后即可进行拉丝。
(4)拉丝。套棒被安装在拉丝塔的顶部，下端缓缓放入约2100℃的高温炉中，气相化学沉积设备，此端熔化后被拉成所需包层直径的光纤(通常为125 cm)，并进行双层涂覆和紫外固化。
(5)光纤测试。拉出的光纤要经过各种试，以确定光纤的几何、光学和机械性能。
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