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pcvd与传统cvd技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子,这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激发能,从而改变了反应体系的能量供给方式。由于等离子体中的电子温度---10000k,电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合,生成活性更高的化学基团,同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的cvd过程得以在低温下进行。
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等离子体增强化学气相沉积(pecvd)技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于pecvd技术是通过应气体放电来制备薄膜的,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从---上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来,气相化学沉积设备价格,采用pecvd技术制备薄膜材料时,薄膜的生长主要包含以下三个基本过程:
首先,气相化学沉积设备厂家,在非平衡等离子体中,电子与反应气体发生初级反应,使得反应气体发生分解,形成离子和活性基团的混合物;
其二,气相化学沉积设备报价,各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运,同时发生各反应物之间的次级反应;
然后,到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应,气相化学沉积设备,同时伴随有气相分子物的再放出。
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化学气相沉积法生产几种金属薄膜
金属薄膜因其有着较好的高导电率、强催化活性以及极其稳定引起了研究者的兴趣。和生成金属薄膜的其他方式相比,化学气相沉积法有更多技术优势,所以大多数制备金属薄膜都会采用这种方式。沉积金属薄膜用的沉积员物质种类比较广泛,不过大多是金属元素的卤化物和有机化合物,比如cocl2、氯化---铂、氯化---铱、dcpd化合物等等。
goto 团队在金属薄膜用作电极材料上做了大量的工作。他们所使用的衬底材料有蓝宝石、石英玻璃以及氧化钇稳定化的二氧化锆(ysz)等等。在成沉积时往装置中通入氧气是为了消除掉原料因热分解产生的碳,并制备出更有金属光泽的金属薄膜,如若不然则得到的就是铱碳簇膜,也就是纳米等级被晶碳层所包裹的铱颗粒。沉积在ysz 上面的铱碳簇膜有着较好的电性能和催化活性。在比较低的温度下,铱碳簇膜的界面电导率能达到纯铱或者纯铂的百倍以上。金属和炭组成的簇膜是一种输送多孔催化活性强的簇膜,在电极材料上的使用在未来将很有潜力。
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