沈阳鹏程公司-等离子化学气相沉积设备价格

化学气相沉积的特点

化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。

i) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。

2) cvd反应在常压或低真空进行，等离子化学气相沉积设备，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。

3) 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶---的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，等离子化学气相沉积设备公司，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

4) 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。

5) 利用调节沉积的参数，等离子化学气相沉积设备价格，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。

6) 设备简单、操作维修方便。

7) 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住cvd的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。

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icp刻蚀机简介

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一．系统概况

该系统主要用于常规尺寸样片（不超过φ6）的刻蚀，可刻蚀的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、

硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻

蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：

1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；

2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，

内腔尺寸ф340mm×160mm；

3.---真空度：≤6.6x10-4 pa (经烘烤除气后，采用ff160/600分子泵抽气)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 pa.l/s；

系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；

停泵关机12小时后真空度：≤5 pa；

4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；

5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；

7.icp头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；

8. 沉积工作真空：1-20pa；

9. 气路设有匀气系统，真空室内设有---抽气均匀性抽气装置；

10. 射频电源：2台频率 13.56mhz，功率600w，全自动匹配；

11. 6路气体，共计使用6个流量控制器控制进气。

气体：---气/氧气/四---碳/六---硫

12. 刻蚀速率

sio2：***0.5μm/min

si：***1μm/min

光刻胶：***1μm/min

13. 刻蚀不均匀性：

优于±5%（φ4英寸范围内）

优于±6%（φ6英寸范围内）

14. 选择比

cf4的选择比为50，