等离子化学气相沉积设备报价-沈阳鹏程真空技术

化学气相沉积产品概述

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1、适用范围：适合于各单位实验室、---院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。

2、产品优点及特点：应用于半导体薄膜、硬质涂层等薄膜制备，兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。

3、主要用途：主要用来制作sio2、si3n4、非晶si：h、多晶si、sic、w、ti-si、gaas、gasb等介电、半导体及金属膜。

化学气相沉积的特点

化学气相沉积法之所以得到发展，等离子化学气相沉积设备公司，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。

i) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。

2) cvd反应在常压或低真空进行，等离子化学气相沉积设备，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。

3) 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶---的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，等离子化学气相沉积设备，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。

4) 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。

5) 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。

6) 设备简单、操作维修方便。

7) 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住cvd的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。

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