沈阳鹏程真空技术-等离子化学气相沉积设备

等离子体增强化学气相沉积的主要过程

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等离子体增强化学气相沉积（pecvd）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于pecvd技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从---上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来，采用pecvd技术制备薄膜材料时，等离子化学气相沉积设备，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：

首先，等离子化学气相沉积设备厂家，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；

其二，等离子化学气相沉积设备，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应；

然后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。

pcvd与传统cvd技术的区别

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pcvd与传统cvd技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子，这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激发能，从而改变了反应体系的能量供给方式。由于等离子体中的电子温度---10000k，电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合，生成活性更高的化学基团，同时整个反应体系却保持较低的温度。这一特点使得原来需要在高温下进行的cvd过程得以在低温下进行。