主要用途：
用于制备导电薄膜，半导体薄膜，铁电薄膜，光学薄膜等。
系统组成:
该蒸镀设计系统主要由真空抽气及真空测量系统、真空室系统、工件架系统、蒸发源系统、膜厚测试系统、蒸发舟挡板系统、烘烤照明系统、水冷却循环及报警系统、电控及控制系统、辅助系统等设计。
技术指标：
---真空度：≤6.7×10 pa
恢复真空时间：从1×10 pa抽至5×10 pa≤20min
系统漏率：6. 7×10-7pa.l/s；
真空室：ф400 x400mm圆筒型真空室 ，parylene公司，
蒸发源：1-4个，采用电阻蒸发舟、蒸发蓝、绞丝、束源炉至下向上蒸发镀膜。
蒸发温度：加热温度：室温～1800℃；
蒸发舟在距中心100～160mm的圆周上；蒸发舟可上下升降，调节幅度0～150mm（样品中心与坩埚距离150~300mm）；
烘烤温度：400℃数显自动热偶控温（高温炉盘，数显自动热偶控温可加热到700℃）
电阻蒸发源：电压5v，parylene批发，10v，功率2.5kw，水冷电极1~4对
石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999?
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主要用途：
用于纳米级单层及多层金属膜、 半导体膜等新材料的制备。广泛应用 于大专院校的薄膜材料科研。
系统组成:
由真空室、蒸发源、样品台、 真空测量、膜厚测试、电控系统组成。
技术指标：
---真空度5.0×10-5pa，系统漏率：1×10-7pal/s； 恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 pa
真空室：d形真空室，尺寸350× 380mm
样品台：尺寸为4英寸厚度3mm的平面样品；
电极：数量：4支水冷结构；直径φ20㎜
样品基片:，基片在镀膜位置实现自转。基片的温度从室温至600℃
4套挡板系统：基片挡板与源挡板；靶挡板共有3套， 样品挡板（１套）
石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999?
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统。
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1、样品位于真空室上方，蒸发源位于真空室下方，向上蒸发镀膜，且蒸发源带有挡板装置。
2、设有烘烤加热功能，parylene生产厂家，可在镀膜过程中加热样品，烘烤加热温度为≤180℃。
3、设有断水、断电连锁保护报警装置及防误操作保护报警装置。
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parylene公司-沈阳鹏程(在线咨询)-parylene由沈阳鹏程真空技术有限责任公司提供。沈阳鹏程真空技术有限责任公司是从事“电阻热蒸发镀膜，磁控溅射，激光脉冲沉积，电子束”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供高的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：董顺。
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