等离子化学气相沉积设备公司-沈阳鹏程-等离子化学气相沉积设备

icp刻蚀机简介

以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产化学气相沉积，等离子化学气相沉积设备，欢迎新老客户莅临。

一．系统概况

该系统主要用于常规尺寸样片（不超过φ6）的刻蚀，等离子化学气相沉积设备公司，可刻蚀的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、

硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻胶、半导体材料、部分金属等。设备具有选择比高、刻

蚀速率快、重复性好等优点。具体描述如下：

1.系统采用单室方箱式结构，手动上开盖结构；

2.真空室组件及配备零部件全部采用铝材料制造，真空尺寸为400mm×400×197mm，

内腔尺寸ф340mm×160mm；

3.---真空度：≤6.6x10-4 pa (经烘烤除气后，采用ff160/600分子泵抽气)；

系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 pa.l/s；

系统从---开始抽气到5.0x10-3 pa，20分钟可达到（采用分子泵抽气)；

停泵关机12小时后真空度：≤5 pa；

4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；

5.样品水冷：由循环水冷水机进行控制；

7.icp头尺寸：340mm mm，喷淋头与样品之间电极间距50mm；

8. 沉积工作真空：1-20pa；

9. 气路设有匀气系统，真空室内设有---抽气均匀性抽气装置；

10. 射频电源：2台频率 13.56mhz，功率600w，全自动匹配；

11. 6路气体，共计使用6个流量控制器控制进气。

气体：---气/氧气/四---碳/六---硫

12. 刻蚀速率

sio2：***0.5μm/min

si：***1μm/min

光刻胶：***1μm/min

13. 刻蚀不均匀性：

优于±5%（φ4英寸范围内）

优于±6%（φ6英寸范围内）

14. 选择比

cf4的选择比为50，