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直流磁控溅射技术其原理是:在磁控溅射中,由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力,它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动,其运动路径变长,因而增加了与工作气体分子碰撞的次数,磁控镀膜机,使等离子体密度增大,从而磁控溅射速率得到很大的提高,而且可以在较低的溅射电压和气压下工作,降低薄膜污染的倾向;另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量,方箱双室磁控镀膜机厂,因而可以在很大程度上---薄膜的。同时,经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时,已变成低能电子,从而不会使基片过热。因此磁控溅射法具有“高速”、“低温”的优点。
用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。
主要由真空室系统溅射室、靶及电源系统、样品台系统、真空抽气及测量系统、气路系统、电控系统、计算机控制系统及辅助系统等组成。
技术指标: ---真空度6.7×10-5pa,系统漏率:1×10-7pal/s; 恢复真空时间:40分钟可达6.6×10 pa(短时间暴露 ---并充干燥氮气后开始抽气)
镀膜方式:磁控靶为直靶,向下溅射成膜; 样品基片: 负偏压 -200v
样品转盘:在基片传输线上连续可调可控,在真空下可轮流任意靶位互换工作。样品转盘由伺服电机驱动,计算机控制其水平传递;
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统,计算机控制系统的功能:对位移和样品公转速度随时间的变化做实时采集,对位移误差进行计算,以曲线和数值显示。样品公转速度对位移曲线可在线性和对数标度两种显示之间切换,可实现换位---镀膜。
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1:此款镀膜仪配置有两个靶枪:一个靶枪配套的是射频电源,用于非导电靶材的溅射镀膜;一个靶枪配套的是直流电源,方箱双室磁控镀膜机生产厂家,用于导电材料的溅射镀膜
2:该镀膜仪可以制备多种不同材料的薄膜,应用非常广泛。
3:该镀膜仪体积较小,且配备有触摸屏控制面板,操作方便。
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