很多复杂氧化物薄膜在相对高的氧气压力（>;100 torr）下冷却是有利的。所有pioneer 系统设计的工作压力范围。从它们的额定初始压力到---压力。这也有益于纳米粒子的生成。
pioneer pld 系统的激光束入射角为45°，保持了激光密度在靶材上的均匀性，同时避免使用复杂而昂贵的光学部件。浅的入射角能够拉长靶材上的激光斑点，导致密度均匀性的损失。
为了避免使用昂贵的与氧气兼容的真空泵流体，消除油的回流对薄膜的影响，所有pioneer 系统的标准配置都采用无油真空系统。
我们的研究表明靶和基片的距离是获得较佳薄膜的关键参数。pioneer 系统采用可变的靶和基片的距离，对沉积条件进行较大的控制。
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脉冲激光沉积技术适合做的薄膜包括各种多元氧化物，氮化物，---物薄膜，金属薄膜，磁性材料等。
应用领域：
单晶薄膜外延（srtio3，laalo3）
压电薄膜（pzt，aln，bifeo3，batio3）
铁电薄膜（batio3，kh2po4）
热电薄膜（srtio3）
金属和化合物薄膜电极（ti，ag，au，pt，ni，脉冲激光沉积装置价格，co，srruo3，lanio3，yzro2，gdceo2，lasrcofeo3）
半导体薄膜（zn(mg)o，aln，srtio3）
高k介质薄膜（hfo2，ceo2，al2o3，脉冲激光沉积装置，batio3，脉冲激光沉积装置报价，srtio3，pbzrtio3，laalo3，ta2o5）
超导薄膜（yba2cuo7-x，bisrcacuo）
光波导，光学薄膜（pzt，aln，batio3，al2o3，zro2，tio2）
超疏水薄膜（ptfe）
红外探测薄膜（v2o5，脉冲激光沉积装置公司，pzt）
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脉冲激光沉积系统配置：
生长室，进样室可选水平、垂直两种靶台可选激光加热和辐射加热两种样品台可选，激光加热高的温度1200℃工艺气路可以任意搭配配备高压rheed，工作气压可达100pa可预留法兰，用于leed，k-cell， e-beam等其它可选项如臭氧发生器，离子源，掩膜系统等。
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